Qualcomm luncurkan Snapdragon 835, 40% lebih Irit daya

Jakarta (KANALACEH.COM) – Tahun 2016 memang belum berakhir, tapi Qualcomm sudah meluncurkan prosesor anyarnya untuk tahun 2017 mendatang, yaitu Snapdragon 835.

Snapdragon 835 adalah prosesor hasil kerja sama Qualcomm dengan Samsung. Dengan kerja sama ini berarti Qualcomm bisa menggunakan teknologi 10 nm FinFET milik Samsung di prosesor anyarnya itu.

Snapdragon 835 adalah prosesor dengan fabrikasi 10nm pertama dari Qualcomm. Dengan fabrikasi yang lebih kecil, ukuran prosesor juga akan lebih kecil, dan lebih efisien dari segi penggunaan energi, demikian dikutip dari detikINET, Jumat (18/11).

Dalam keterangan resminya, Qualcomm membandingkan Snapdragon 820 yang menggunakan teknologi fabrikasi 14 nm. Dalam perbandingan tersebut, Snapdragon 835 disebut 30% lebih kecil, performa 27% tinggi tinggi dan konsumsi daya 40% lebih kecil.

Tak cuma konsumsi dayanya yang lebih kecil, pengisian dayanya juga akan lebih cepat karena Snapdragon 835 dilengkapi dengan Quick Charge 4.0, yang kecepatan pengisian baterainya disebut lebih cepat 20% dari Quick Charge 3.0. Teknologi anyar ini juga sepenuhnya kompatibel dengan konektor USB-C.

Qualcomm akan memberikan penjelasan yang lebih detail soal prosesor penerus Snapdragon 820 dan 821 ini pada gelaran CES 2017 yang akan digelar pada Januari 2017 mendatang di Las Vegas, Amerika Serikat. []